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製品情報Product
絞り込み:主要成分 / Cu（銅）
電解銅粉に対して表面処理や粉砕処理を施すことにより新たな特性を付与した粉末製品です。
Cu-Cは化学還元法で製造した銅粉末です。
超低粗度の両面光沢を特長とする原箔「SV」に独自の微細粗化処理形状を持つ「T4X」処理を施すことで、超低粗度でありながら高い投錨効果を発現。伝送特性、細線加工を重視されるリジッドPCBから、透明性を重視されるFPCまで、幅広い分野で高い性能...
電解銅箔屈指の低粗度箔であるSVに、長期耐熱性に優れた無粗化処理T9DAをプラス。基板から光学用途まで、幅広い分野で高い特性を発揮します。
従来品よりも粗化処理粒子の密度を高めたことで、粗度を上昇させることなく、各種基材に対し高い密着強度の発現を誇る超低粗度銅箔です。密着性のみならず、長期耐熱性、耐薬品性など、基板の信頼性に直結する各種特性においても高い機能性を誇ります。
独自の結晶制御により、加熱後の再結晶化を可能にした電解銅箔です。再結晶後のHDは、タフピッチ銅と同等の屈曲性を誇ります。
タフピッチ銅と同等の屈曲性を誇るHDを更に進化させたHD2に、高周波特性に優れた超低粗度表面粗化処理を施したFCCL用電解銅箔です。銅箔屈指の屈曲性と伝送特性の両立は新時代のFPCに貢献します。
独自の超低粗度粗化処理形状は密着強度の得難いフィルム系低誘電材料に対し、伝送特性を犠牲にすることなく有効な密着強度を確保します。また、再結晶型のベース箔により、高い屈曲性も両立させており、次世代のFPCに貢献します。
キャリア箔では最厚70μm、剥離強度では「一般」及び「軽剥離」、極薄銅箔では最薄1.5μmから10μm以上の対応が可能な上に表面処理もプロファイルフリーから微細粗化粒子まで対応できる技術を有し、従来は実現不可能であったご要望にも対応いたしま...
IPCGrade3に属するリジッド基板用高温高伸び箔です。原箔粗面の形状をシャープにすることでノジュール間隙を広げ、スムーズな樹脂フローを実現したUN。12μm、9μmといった薄膜での取扱性を向上させたHS。外層用のみならず、CCLやBU基...
